富嘉达｜半导体晶圆超声波清洗行业解决方案
2026-06-10
方案概述
纳米芯片制造中，微小杂质、颗粒、残留污染物都会直接造成电路失效、良率下降。晶圆清洗是贯穿芯片全制程、频次最高、管控最严的核心工序。
富嘉达全自动晶圆超声波清洗机，集成超声波精密清洗、智能参数控制、全自动机械手传输、无损干燥工艺，针对半导体纳米级污染特点，实现高精度、零损伤、标准化、可追溯的全域清洗，全面适配传统晶圆、先进封装及各类精密器件生产需求。
核心优势（三大核心亮点）
1. 全流程自动化，杜绝二次污染
设备搭载精密机械手系统，实现晶圆上料、药液清洗、超纯水漂洗、干燥、下料全自动化作业，无需人工介入，从源头规避人为接触带来的粉尘、杂质污染，适配量产无尘车间标准。
2. 纳米级精密清洗，电路零损伤
采用超声波空化清洗技术，精准剥离晶圆表面微颗粒、有机物、金属离子、氧化层残留；搭配干燥工艺，无水渍、无划痕、无结构损伤，可适配纳米级细线宽精密电路。
3. 智能配方工艺，高精度可控量产
系统毫秒级精准管控温度、药液浓度、清洗时间、转速等数百项工艺参数，支持差异化清洗配方一键调用。可根据不同制程节点、不同污染类型柔性切换工艺，保证每片晶圆清洗效果统一、稳定、可追溯。
核心应用场景
一、半导体前道工艺（FEOL）
服务晶体管制备核心制程，保障芯片基础性能与稳定性。
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栅极氧化前超净清洗：打造原子级洁净硅表面，保障氧化层品质与晶体管开关性能
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浅沟槽隔离后清洗：彻底清除刻蚀聚合物、颗粒残留，确保晶体管隔离效果
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离子注入后清洗：无损去除光刻胶残留，不破坏硅表面与掺杂结构
二、半导体后道工艺
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CMP化学机械抛光后清洗：高效去除研磨浆料、微颗粒，保护微细通孔与介质层
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介质层刻蚀后清洗：清除蚀刻残渣，保障层间电路互连精度
三、先进封装工艺
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TSV硅通孔清洗：清洁高深宽比通孔内部，保障电镀填充良品率
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晶圆/芯片键合前清洗：实现表面超净无杂质，保证键合牢固、低阻抗
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方案价值总结
富嘉达全自动晶圆超声波清洗方案，以自动化、高精度、零损伤、智能化为核心，筑牢半导体芯片制造良率根基，同时为精密制造全行业提供标准化、可量产的超净清洗解决方案，是高端精密制造制程升级的核心配套装备。
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