富嘉达|全自动晶圆超声波清洗技术优势
2026-06-10
 
纳米级芯片制造中,微尘、颗粒、有机物、金属离子等杂质都会导致电路失效、良率下降。晶圆清洗是半导体制程中频次最高、要求最严的关键工序。
富嘉达深耕精密清洗二十余年,专注超声波清洗、二流体离心清洗、全自动智能控制技术,为半导体及高端精密制造提供稳定、高效、可量产的超净清洗能力。

一、高频超声波精密清洗,纳米级去污无损伤

采用工业级高频超声波技术,利用空化效应与微射流作用,精准剥离晶圆表面微颗粒、有机残留、金属离子、薄氧化层。
  • 频率适配半导体精密制程,无冲击、无划伤、无结构损伤
  • 微孔、狭缝、高深宽比结构均可渗透清洗,无死角
  • 适配 6/8/12 寸晶圆及薄片、超薄层结构,保护敏感电路

二、二流体离心清洗技术,高效均匀、低残留

自研二流体(纯水 + 洁净压缩空气)喷淋 + 离心干燥复合工艺:
  • 高速均匀喷淋,快速带走纳米级污染物
  • 离心甩干 + 风刀干燥,无水渍、无水斑、无水印残留
  • 全程密闭,减少氧化,提升表面洁净度一致性

三、全流程自动化,杜绝二次污染

搭载精密机械手 + 全自动传输系统,实现晶圆从 FOUP 取料→清洗→漂洗→干燥→下料无人化作业:
  • 全程密闭无尘环境,零人工接触、零二次污染
  • 机械手定位精度高,取放平稳、碎片率极低
  • 适配无尘车间标准,满足量产要求

四、智能精准控制,工艺稳定可追溯

自主研发多参数智能控制系统,对温度、浓度、时间、转速、喷淋压力等数百项参数闭环管控:
  • 毫秒级响应,每片晶圆工艺一致性高
  • 支持多配方存储、一键切换,适配不同制程节点
  • 全数据记录、可追溯,符合半导体智能制造规范

五、无损干燥工艺,保护超薄 / 精密结构

采用离心干燥 + 洁净热风 + 风刀剥离组合方案:
  • 低温干燥,不损伤超薄氧化层、微细线路
  • 快速均匀脱水,减少水渍与吸附颗粒
  • 兼容 TSV、键合面、超薄晶圆等高要求场景

六、柔性适配,覆盖半导体全制程 + 多行业

技术可灵活适配:
  • 半导体前道:栅氧前清洗、STI 后清洗、离子注入后清洗
  • 半导体后道:CMP 后清洗、刻蚀后清洗、通孔清洗
  • 先进封装:2.5D/3D、Chiplet、TSV、键合前超净清洗
  • 跨界精密制造:MEMS、功率器件(SiC/GaN)、生物芯片、精密光学、医疗器械等

技术小结

富嘉达以超声波精密清洗、二流体离心清洗、全自动智能控制为核心,形成高效去污、零损伤、防污染、可追溯、柔性适配的技术体系。